01440nam a2200289 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031041001300072049003200085052001500117056001300132082001800145245028700163246012500450246011600575260004300691300004200734502010800776504003000884546002500914650004000939650004600979650004001025650004001065700004501105KDM20082635520210107152712ta080602s2008    gbkad    m SN 000   kor  0 akorbeng0 lEM4202342lEM4202343c2fDP01a569.4b8-3  a569.42401a621.3815222100a폴리 아닐린 유도체를 기반으로 한 비휘발성 고분자 메모리 소자의 전기적 스위칭 특성에 관한 연구 =x(A) study on the electrical switching characteristics of nonvolatile polymer memory (PoRAM) devices based on polyaniline derivatives /d이동진30aStudy on the electrical switching characteristics of nonvolatile polymer memory devices based on polyaniline derivatives30aStudy on the electrical switching characteristics of nonvolatile PoRAM devices based on polyaniline derivatives  a포항 :b포항공과대학교,c2008  axv, 128장 :b삽화, 도표 ;c26 cm1 a학위논문(박사) --b포항공과대학교 대학원,c전자전기공학과 반도체전공,d2008  a참고문헌: 장 117-121  a영어 요약 있음 8a반도체[半導體]0KSH1998000581 8a메모리 셀[memory cell]0KSH2002039614 8a스위칭[switching]0KSH1998031698 8a유도체[誘導體]0KSH20020129941 a이동진,g李東鎭0KAC2020K90124aut