01463nam a2200325 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031020002500072049002800097052001700125056001400142082001800156245016600174260004500340300003800385490006300423500005600486504002900542536018000571650005300751700002700804700002200831830006300853880010500916880004701021880002701068880002801095950001401123KMO20182478420180810174104ta180426s2018    ulkad         000   kor    a9791188207480g935500 lEM6976305lEM6976306c201a569.41b18-1  a569.412601a621.38152223006880-01aHVPE법에 의한 GaN/sapphire 성장기술 및 GaN 후막 단결정 분석기법 :b화합물 반도체 광전소자 EH /d저자: 이성남,e한재용  6880-02a서울 :b삼창미디어,c2018  a116 p. :b삽화, 도표 ;c30 cm10a산학융합지구 성과활용-프로젝트Lab PBL 교재  aHVPE는 "Hydride Vapour Phase Epitaxy"의 약어임  a참고문헌: p. 115-116  a『2017 산학융합지구 성과활용지원사업 프로젝트Lab』과제의 결과물로 경기도, 시흥시, 경기산학융합본부의 지원을 받아 제작되었음 8a반도체 재료[半導體材料]0KSH20020364251 6880-03a이성남4aut1 6880-04a한재용 0a산학융합지구 성과활용-프로젝트Lab PBL 교재006245-01/(BaHVPE beop e uihan GaN/sapphire seongjang gisul mit GaN humak dangyeoljeong bunseok gibeop  6260-02/(BaSeoul :bSamchang Midieo,c20181 6700-03/(BaI, Seongnam1 6700-04/(BaHan, Jaeyong1 a비매품