01062nam a2200241 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002900096245022500125300002600350545005000376545005000426653010700476700001900583700003600602773013000638856002100768900001500789900001600804KSI00081467620100709162958ta100525s1998    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a576.05b한566ㅇc35(9)00a기판 조건에 따른 TiSi₂ 박막의 형성 및 전기적 특성 변화 고찰 =xEffects of conditions of silicon substrates on the formation and electrical properties of TiSi₂ thin films /d김은하,e고대홍  ap. 1141-1147 ;c26 cm  a김은하, 연세대학교 세라믹공학과  a고대홍, 연세대학교 세라믹공학과  a기판 조건a전기적 특성 변화a고성능aTiSi2aC49-to-C54 transformationaPre-amorphization1 a김은하4aut1 a고대홍,d1961-0KAC2016367220 t窯業學會誌.d한국요업학회.g35卷 11號(1998년 11월), p. 1141-1147q35:11<1141w(011001)KSE199508697,x1225-137240u76109343aKd00010aKim, Eunha10aKo, Daehong