01362na  a2200301   4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003000096245014100126300002400267545005900291545005900350545009200409545009500501653013400596700001900730700001400749700004800763700004800811773013000859900001900989900001701008900001701025900001801042KSI00076210220091005100635ta090612s2000    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc10(1)00aSiNx/Si 구조를 이용한 SiC 박막성장 =xGrowth of SiC film on SiNx/Si structure /d김광철,e박찬일,e남기석,e임기영  ap. 276-281 ;c30 cm  a김광철, 전북대학교 반도체과학기술학과  a박찬일, 전북대학교 반도체과학기술학과  a남기석, 전북대학교 반도체과학기술학과, 전북대학교 화학공학부  a임기영, 전북대학교 반도체과학기술학과, 전북대학교 과학기술학부  aSilicon carbideaSiCaX-ray diffractionaXRDaTransmission electron microscopyaTEMaVoidsa박막성장a절연체a질화규소1 a김광철4aut1 a박찬일1 a남기석,g南基錫,d1952-0KAC2015020471 a임기영,g林起榮,d1954-0KAC2018058550 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g10권 4호(2000년 4월), p. 276-281q10:4<276w(011001)KSE199509224,x1225-056210aKim, Kwangchul10aPark, Chanil10aNahm, Keesuk10aLim, Keeyoung