01359na  a2200301   4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052003000096245022700126300002400353545004700377545007400424545005000498545004100548653013400589700001900723700004800742700004800790700001400838773013000852900002000982900001701002900001801019900002001037KSI00076192020091005100635ta090612s2000    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a530.405b한596ㅎc10(1)00a금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구 =x(The)growth and characterization of GaN films by direct reaction of Ga and NH₃ /d양승현,e남기석,e임기영,e양영석  ap. 241-245 ;c30 cm  a양승현, 전북대학교 화학공학부  a남기석, 전북대학교 화학공학부bnahmks@moak.chonbuk.ac.kr  a임기영, 전북대학교 과학기술학부  a양영석, 우석대학교 화학과  aChemical vapor depositionaX-ray diffractionaRaman spectroscopyaOptical propertya금속 갈륨a암모니아aGaN 후막성장1 a양승현4aut1 a남기석,g南基錫,d1952-0KAC2015020471 a임기영,g林起榮,d1954-0KAC2018058551 a양영석0 t한국재료학회지.d韓國材料學會.g10권 3호(2000년 3월), p. 241-245q10:3<241w(011001)KSE199509224,x1225-056210aYang, Seunghyun10aNahm, Keesuk10aLim, Keeyoung10aYang, Yeongseok