01417nam a2200337 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031040001100072041001300083052002800096245025500124300002400379545004100403545004100444545004400485545004100529545004100570653016500611700001900776700001400795700003600809700001100845700001400856773012400870900001700994900001601011900001901027900001301046900002001059KSI00078270620090918115446ta090814s1997    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a570.5b대495ㄷc41(7)00a광음향분광법을 이용한 GaAs와 Si 반도체의 열확산도 측정과 운반자특성 연구 =xPhotoacoustic investigation of carrier transport and thermal diffusivity in GaAs and Si /d林鍾泰,e韓鎬淵,e朴勝漢,e金熊,e崔重吉  ap. 329-336 ;c26 cm  a임종태, 연세대학교 화학과  a한호연, 연세대학교 화학과  a박승한, 연세대학교 물리학과  a김웅, 연세대학교 물리학과  a최중길, 연세대학교 화학과  a광음향분광법aGaAs와 Si 반도체a열확산도 측정a운반자특성aPhotoacoustic investigationaCarrier transportaThermal diffusivityaGaAs and Si1 a임종태4aut1 a한호연1 a박승한,d1958-0KAC2017336071 a김웅1 a최중길0 t대한화학회지.d대한화학회.g41권 7호(1997년 7월), p. 329-336q41:7<329w(011001)KSE199508487,x1017-254810aLim, Jongtae10aHan, Hoyoun10aPark, Seunghan10aKim, Ung10aChoi, Joonggill