01184nam a2200289 c 4500001001300000005001500013007000300028008004100031020002500072049002800097052001700125056001400142082001900156245010200175246004700277260007500324300003700399440007300436500005600509536010500565650005900670650004900729700005300778900002500831900002400856950001400880KMO20145736920211202170556ta141007s2014    ggkad      JJ 000   kor    a9788998411145g935600 lEM6007770lEM6007771c201a569.42b14-1  a569.422501a621.38152222100aAl(Ga)N 기반 고효율 UV LED 성장기술 :b차세대 포토닉스 PL /d지은이: 남옥현30aAlGaN 기반 고효율 UV LED 성장기술  a[시흥] :bKPU(한국산업기술대학교) :b삼창미디어,c2014  a20장 :b삽화, 도표 ;c30 cm00a3차년도 산학융합지구조성사업 프로젝트랩 PBL 교재  aAl(Ga)N은 "Aluminium Gallium Nitride"의 약어임  a산업통상자원부의 출연금으로 수행한 산학융합지구조성사업의 연구결과임 8a화합물 반도체[化合物半導體]0KSH1998004492 8a발광 다이오드[發光--]0KSH19980012571 a남옥현,g南玉鉉,d1964-0KAC2016279314aut10aNam, Okhyeon,d1964-10aNam, Okhyun,d1964-1 a비매품