01614nam a2200313 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003700093245031100130300002300441545009000464545005600554545006000610545005900670545006100729653016900790700005300959700001401012700001801026700001701044700001901061773014801080856002001228856001901248900001601267900001701283KSI00058498420090408133723070411s2005    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a559.705b대445ㄷc43(9)-43(12)00a기판 바이어스에 의해 증착된 고순도 구리 박막의 전기 비저항에 대한 박막두께 의존성=xThickness dependence of electrical resistivity of high purity Cu films deposited by applying substrate bias voltage/d임재원,e배준우,eMakoto Mikami,eKouji Mimura,eMinoru Isshiki  ap. 672-677;c30 cm  a임재원, 동북대학 다원물질과학연구소bflashlim@mail.tagen.tohoku.ac.jp  a배준우, 동북대학 다원물질과학연구소  aMakoto Mikami, 동북대학 다원물질과학연구소  aKouji Mimura, 동북대학 다원물질과학연구소  aMinoru Isshiki, 동북대학 다원물질과학연구소  aThin filmaCopperaElectrical resistivityaImpurityaSurface scatteringaGrain boundary scatteringaGrain sizea기판 바이어스a구리 박막a전기 비저항1 a임재원,g林載元,d1972-0KAC2016240254aut1 a배준우1 aMakoto Mikami1 aKouji Mimura1 aMinoru Isshiki0 t대한금속·재료학회지.d대한금속.재료학회.g43권 10호(2005년 10월), p. 672-677q43:10<672w(011001)KSE200000110,x1738-822840uT00000468406ad40u360893aKd00010aLim, Jaewon10aBae, Joonwoo