01145nam a2200217 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003700093245024400130300002300374545007300397545004400470653014600514700005300660700004700713773013100760900001800891900001800909KSI00058084920060919105301060914s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc12(1)-12(4)00aMBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과=xEffects of growth temperatures on properties of InAlAs epilayers grown on InP substrate by molecular beam epitaxy/d우용득,e김문덕  ap. 251-256;c26 cm  a우용득, 우석대학교 반도체과학과bwooyongd@woosuk.ac.kr  a김문덕, 충남대학교 물리학과  a성장온도a인듐알루미늄아세나이드 에피층a분자선에피탁시aGrowth temperatureaInAlAs epilayeraMolecular beam epitaxy1 a우용득,g禹龍得,d1960-0KAC2017004924aut1 a김문덕,g金文德d1961-0KAC2018381160 t한국진공학회지.d韓國眞空學會.g12권 4호(2003년 12월), p. 251-256q12:4<251w(011001)KSE199508370,x1225-882210aWoo, Yongdeuk10aKim, Moondeok