01666nam a2200373 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003900093245026800132300002300400545004700423545004700470545004700517545004700564545004700611545007100658653012600729700005300855700001400908700001400922700001400936700004800950700001400998773015601012856002101168900001601189900001801205900001801223900001701241900001701258900001701275KSI00054360320080423100650060729s2004    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.205b한597ㅈㄱc17(1)-17(4)00a텅스텐 슬러리를 사용한 Cu-CMP 특성에서 산화제 첨가의 영향=xEffects of oxidizer additive on the performance of copper-chemical mechanical polishing using tungsten slurry/d이우선,e최권우,e이영식,e최연옥,e오용택,e서용진  ap. 156-161;c26 cm  a이우선, 조선대학교 전기공학과  a최권우, 조선대학교 전기공학과  a이영식, 조선대학교 전기공학과  a최연옥, 조선대학교 전기공학과  a오용택, 조선대학교 전기공학과  a서용진, 대불대학교 전기전자공학과bsyj@daebul.ac.kr  aChemical mechanical polisingaCMPaTungsten slurryaRemoval rateaNon-uniformityaSEMa텅스텐 슬러리aCu-CMP 특성1 a이우선,g李愚宣,d1952-0KAC2017004024aut1 a최권우1 a이영식1 a최연옥1 a오용택,g吳龍澤,d1965-0KAC2018529441 a서용진0 t전기전자재료학회 논문지.d한국전기전자재료학회.gVol.17 no.2(2004년 2월), p. 156-161q17:2<156w(011001)KSE199800338,x1226-794540u40042099aKd00010aLee, Woosun10aChoi, Gwonwoo10aLee, Youngsik10aChoi, Yeonok10aOh, Yongtaek10aSeo, Yongjin