01282nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003500093245019000128300002300318545005600341545004600397545005600443545005600499653011800555700001900673700001400692700004800706700002800754773014200782900001600924900001700940900001600957900001900973KSI00055299520060817135528060809s2003    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b한611ㅎc14(5)-14(8)00a스케일링이 가능한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 열 모델에 관한 연구=xScalable AlGaN/GaN HEMT's model including thermal effect/d김동기,e김성호,e오재응,e권영우  ap. 705-711;c26 cm  a김동기, 서울대학교 전기컴퓨터공학부  a김성호, LG전자 CDMA 단말 연구소  a오재응, 한양대학교 전자컴퓨터공학부  a권영우, 서울대학교 전기컴퓨터공학부  aThermal resistanceaThermal capacitanceaScalingaGaN HEMTaPower amplifieraPulsed I-Va스케일링a열 모델1 a김동기4aut1 a김성호1 a오재응,g吳在應,d1959-0KAC2017224171 a권영우0KAC2018L65480 t韓國電磁波學會論文誌.d韓國電磁波學會.g14권 7호(2003년 7월), p. 705-711q14:7<705w(011001)KSE199701049,x1226-313310aKim, Dongki10aKim, Seongho10aOh, Jaeeung10aKwon, Youngwoo