00942nam a2200193 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002200093245020500115300002000320545005000340653010200390700004100492773017400533856002100707900002000728KSI00019175420041018132254040522s1997    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a505b동814ㅅc900aAlGaAs/GaAs계 VSIS 레이저 다이오드의 종방향 특성해석을 위한 simulation=xSimulation of the AlGaAs/GaAs v-grooved-substrate-inner-stripe structured high power-laser diode/d김득영  ap. 1-14;c26 cm  a김득영, 동국대학교 반도체과학과  aAlGaAs/GaAs계aVSIS 레이저a다이오드aV-grooved-substrate-inner-stripeaPower-laser diode1 a김득영,d1958-0KAC2017244594aut0 t산업기술논문집-동국대학교 산업기술연구원.d동국대학교 산업기술대학원.g9집(1997년 11월), p. 1-14q9<1w(011001)KSE199505560,x1225-618840u19562250akd00210aKim, Deuk-Young