01305nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245023000121300002300351545004700374545004700421545004700468545004700515653012700562700001900689700001400708700004800722700001400770773017200784900001700956900001400973900001300987900001501000KSI00018351020040521195819040501s1996    ulk           000   kor    a0110010 akorbeng01a469.05b한428ㅎc6(3)00a실리콘 단결정에서 산화적층결함의 핵생성에 미치는 냉각속도의 영향=x(The)effect of cooling rate on the nuclei of OISF formation in Si single crystals/d하태석,e김병국,e김영관,e윤종규  ap. 360-367;c29 cm  a하태석, 서울대학교 금속공학과  a김병국, 서울대학교 금속공학과  a김영관, 인천대학교 재료공학과  a윤종규, 서울대학교 금속공학과  a실리콘 단결정a산화적층결함a핵생성a냉각속도aCooling rateaNucleiaOISF formationaSi single crystals1 a하태석4aut1 a김병국1 a김영관,g金榮寬,d1954-0KAC2018M24011 a윤종규0 tJournal of the Korean crystal growth and crystal technology.d韓國結晶成長學會.g6권 3호(1996년 8월), p. 360-367q6:3<360w(011001)KSE199508766,x1225-142910aHa, Tae-Seok10aKim, B.K.10aKim, Y.K10aYoon, J.K.