01410nam a2200181 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069052002600080245050700106300002100613545006000634653030000694700005300994773014601047856002101193900001401214 KSI000242552 20040721033852 040624s1996 ulk 000 eng a011001 01 a405 b성132ㄴ c46(2) 00 aEffect of the band discontinuity on the tunnel current density across the $$p^+$$ -A$$l_{0.36}$$G$$a_{0.64}$$As/$$n^+$$ -G$$a_{0.51}$$I$$n_{0.49}$$P heterojunction tunnel diode= x밴드 불연속이 $$p^+$$ -A$$l_{0.36}$$G$$a_{0.64}$$As/$$n^+$$ -G$$a_{0.51}$$I$$n_{0.49}$$P 이종접합 터널 다이오드의 터널 전류 밀도에 미치는 영향 =/ dJung, Dong-geun ap. 49-59; c26 cm aJung, Dong-geun, 성균관대학교 물리학과 교수 a밴드 불연속 a$$p^+$$ -A$$l_{0.36}$$G$$a_{0.64}$$As/$$n^+$$ -G$$a_{0.51}$$I$$n_{0.49}$$P a이종접합 a터널다이오드 a터널 전류 밀도 aBand discontinuity aTunnel current density across aHeterojunction aTunnel diode 1 a정동근, g鄭東根, d1965- 0KAC201805396 4aut 0 t成均館大學校論文集. d成均館大學敎 基礎科學硏究所. g제46집 No.2(1996년 4월), p. 49-59 q46:2<49 w(011001)KSE199500020 40 u19596663 aK d002 10 a정동근