01448nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002400093245025000117300003000367545005600397545005600453545005600509545005600565545005600621653007600677700001900753700001400772700001400786700004800800700004800848773012700896900001901023900002101042900002001063900001701083900002201100KSI00016302220040224185702031216s2002    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎ00aSi (111) 기판 위에 다양한 AlN 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성 비교=xComparison of growth and properties of GaN with various AlN buffer layers on Si (111) substrate/d신희연,e이정욱,e정석훈,e유지범,e양철웅  ap. 50-58:b삽도;c26 cm  a신희연, 성균관대학교 금속재료공학부  a이정욱, 성균관대학교 금속재료공학부  a정성훈, 성균관대학교 금속재료공학부  a유지범, 성균관대학교 금속재료공학부  a양철웅, 성균관대학교 금속재료공학부  aSi (111)aAINa완충층a성장aComparison growthaProperties various1 a신희연4aut1 a이정욱1 a정성훈1 a유지범,g劉址範,d1959-0KAC2016323121 a양철웅,g梁鐵雄,d1965-0KAC2013292850 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g11권 1호(2002년 4월), p. 50-58q11:1<50w(011001)KSE199508370,x1225-882210aShin, Hul-Youn10aLee, Jeoung-Wook10aJung, Sung-Hoon10aYoo, Ji-Beom10aYang, Cheol-Woong