01353nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003500093245020900128300003200337545004700369545007700416545007700493545004700570653011600617700005300733700004800786700001400834700001400848773012900862900001800991900001601009900002001025900001801045KSI00016223520040209194248031216s2000    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc9(1)-9(4)00aTrimethyl-indium 소스 고갈에 따른 InGaAsP 에피층의 특성 변화=xEffect of trimethyl-indium source depletion on InGaAsP epilayer grown by MOCVD/d김현수,e오대곤,e편광의,e최인훈  ap. 400-405:b삽도;c26 cm  a김현수, 고려대학교 재료공학과  a오대곤, 한국전자통신연구원 정보통신원천기술연구소  a편광의, 한국전자통신연구원 정보통신원천기술연구소  a최인훈, 고려대학교 재료공학과  aTrimethyl-indiuma소스a고갈aInGaAsPa에피층a변화aEffectaSourceaDepletionaEpilayeraGrownaMOCVD1 a김현수,g金鉉洙,d1973-0KAC2018564764aut1 a오대곤,g吳大坤,d1959-0KAC2016239771 a편광의1 a최인훈0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g9권 4호(2000년 12월), p. 400-405q9:4<400w(011001)KSE199508370,x1225-882210aKim, Hyun Soo10aOh, Dae Kon10aPyun, Kwang Eui10aChoi, In Hoon