01973nam a2200469 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003500093245033000128300003200458545005000490545005000540545005000590545004700640545004700687545004700734545004700781545005500828545004700883653013800930700001901068700001401087700003601101700001401137700001401151700002801165700001401193700002301207700001401230773012901244900001401373900001401387900001301401900001501414900001401429900001301443900001501456900001701471900001501488KSI00016211720040209194247031216s2000    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc9(1)-9(4)00aCo/Si 시스템에서 capping layer에 따른 코발트 실리사이드 박막의 형성에 관한 연구=x(A)study on the formation of cobalt silicide thin films in Co/Si systems with different capping layers/d김해영,e김상연,e고대홍,e최철준,e김철성,e구자흠,e최시영,eKazuyuki Fujiharae강호규  ap. 335-340:b삽도;c26 cm  a김해영, 연세대학교 세라믹공학과  a김상연, 연세대학교 세라믹공학과  a고대홍, 연세대학교 세라믹공학과  a최철준, 삼성전자 반도체연구소  a김철성, 삼성전자 반도체연구소  a구자흠, 삼성전자 반도체연구소  a최시영, 삼성전자 반도체연구소  aKazuyuki Fujihara, 삼성전자 반도체연구소  a강호규, 삼성전자 반도체연구소  aCoaSia시스템aCappingaLayera코발트a실리사이드a박막aFormationaCobaltaSilicideaFilmsaSystemsaDifferentaLayers1 a김해영4aut1 a김상연1 a고대홍,d1961-0KAC2016367221 a최철준1 a김철성1 a구자흠0KAC2020409431 a최시영1 aFujihara, Kazuyuki1 a강호규0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g9권 4호(2000년 12월), p. 335-340q9:4<335w(011001)KSE199508370,x1225-882210aKim, H.Y.10aKim, S.Y.10aKo, D.H.10aChoi, C.J.10aKim, C.S.10aKu, J.H.10aChoi, S.Y.10aFujihara, K.10aKang, H.K.