01732na  a2200397   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003500093245023800128300003200366545004700398545004700445545004700492545004700539545004700586545004700633545004700680653010200727700005300829700001400882700001400896700001400910700004800924700004800972700004801020773013401068900001801202900002001220900001801240900002001258900001901278900001701297900002001314KSI00016126320040209194242031216s1999    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc8(1)-8(4)00a절연체 (CeO₂/Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구=xEpitaxial growth of silicon thin films on insulating (CeO₂/Si) substrates/d양지훈,e문병식,e김관표,e김종걸,e정동근,e노용한,e박종윤  ap. 322-326:b삽도;c26 cm  a양지훈, 성균관대학교 물리학과  a문병식, 성균관대학교 물리학과  a김관표, 성균관대학교 물리학과  a김종걸, 성균관대학교 물리학과  a정동근, 성균관대학교 물리학과  a노용한, 성균관대학교 물리학과  a박종윤, 성균관대학교 물리학과  a절연체aCeO₂aSia실리콘박막aEpitaxialaGrowthaSiliconaFilmsaInsulatingaSubstrates1 a양지훈,g梁智勳,d1972-0KAC2018507174aut1 a문병식1 a김관표1 a김종걸1 a정동근,g鄭東根,d1965-0KAC2018053961 a노용한,g盧用翰,d1958-0KAC2016368451 a박종윤,g朴鍾允,d1950-0KAC2018038110 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g8권 3(2)호(1999년 8월), p. 322-326q8:3(2)<322w(011001)KSE199508370,x1225-882210aYang, Ji Hoon10aMoon, Byung-Sik10aKim, Kwan Pyo10aKim, Chong Geol10aJung, Donggeun10aRoh, Yonghan10aPark, Chong-Yun