01575nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003500093245025700128300003200385545004700417545004700464545004700511545008400558545004700642653015700689700001900846700004800865700004800913700004800961700001401009773013401023900002001157900001801177900002001195900001601215900001801231KSI00016117120040209194240031216s1999    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc8(1)-8(4)00aChloride VPE 법에 의한 메사 구조위에 InP 전류 차단막의 선택적 재성장=xSelective regrowth of InP current blocking layer by chloride vapor phase epitaxy on mesa structures/d장영근,e김현수,e최훈상,e오대곤,e최인훈  ap. 207-212:b삽도;c26 cm  a장영근, 고려대학교 재료공학과  a김현수, 고려대학교 재료공학과  a최훈상, 고려대학교 재료공학과  a오대곤, 한국전자통신연구원 원천기술연구본부 광원소재팀  a최인훈, 고려대학교 재료공학과  aChlorideaVPEa메사a구조aInPa전류a차단막a재성장aSelectiveaRegrowthaCurrentaBlockingaLayeraVaporaPhaseaEpitaxyaMesaaStructures1 a장영근4aut1 a김현수,g金鉉洙,d1973-0KAC2018564761 a최훈상,g崔焄相,d1973-0KAC2020559591 a오대곤,g吳大坤,d1959-0KAC2016239771 a최인훈0 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g8권 3(1)호(1999년 8월), p. 207-212q8:3(1)<207w(011001)KSE199508370,x1225-882210aJang, Young-Gun10aKim, Hyun-Soo10aChoi, Hoon-Sang10aOh, Dae-Kon10aChoi, In-Hoon