01502na  a2200289   4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245025800123300003200381545008500413545008500498545008500583545008500668653014700753700001900900700004800919700001400967700004800981773012801029900001301157900001401170900001401184900001401198KSI00016077120040219194235031216s1998    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc7(1)00a스퍼터링 방법에 의한 AIN/Si(111)의 성장 방향과 표면 거칠기의 성장 시간에 대한 연구=xEvolution of growth orientation and surface roughness during sputter growth of AIN/Si(111)/d이민수,e이현휘,e서선희,e노도영  ap. 237-241:b삽도;c26 cm  a이민수, 광주과학기술원 신소재공학과 및 전자재료연구센터  a이현휘, 광주과학기술원 신소재공학과 및 전자재료연구센터  a서선희, 광주과학기술원 신소재공학과 및 전자재료연구센터  a노도영, 광주과학기술원 신소재공학과 및 전자재료연구센터  a스퍼터링방법aAinaSi(111)a성장a방향a표면a거칠기a성장시간aEvolutionaGrowthaOrientationaSurfaceaRoughnessaSputter1 a이민수4aut1 a이현휘,g李鉉徽,d1972-0KAC2019E63821 a서선희1 a노도영,g魯都永,d1963-0KAC2016254570 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g7권 3호(1998년 8월), p. 237-241q7:3<237w(011001)KSE199508370,x1225-882210aYi, M.S.10aLee, H.H.10aSeo, S.H.10aNoh, D.Y.