01711nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245036200123300003200485545007700517545007700594545007700671545007700748545007700825653009600902700001900998700001401017700004801031700003601079700004801115773012801163900002001291900002001311900001801331900001801349900001801367KSI00015611220040219194226031215s1996    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a554.9405b한622ㅎc5(1)00a저압 유기금속 화학증착법을 이용한 InP 기판에 격자 일치된 I<TEX>$$ n_0.53$$</TEX>G<TEX>$$ a_0.47$$</TEX>As 에피층의 성장=xGrowth of I<TEX>$$ n_0.53$$</TEX>G<TEX>$$ a_0.47$$</TEX>As Iattice matched to Inp substrate by low pressure metalorganic chemical vapor deposition/d박형수,e문영부/d윤의준,e조학동,e강태원  ap. 206-212:b삽도;c26 cm  a박형수, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소  a문영부, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소  a윤의준, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소  a조학동, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소  a강태원, 서울대학교 재료공학부 및 반도체 공동연구소  a저압a유기금속a화학증착법aInP기판a에피층aIattice matchedaInP substrate1 a박형수4aut1 a문영부1 a윤의준,g尹義埈,d1960-0KAC2012083171 a조학동,d1963-0KAC2017276921 a강태원,g姜泰遠,d1949-0KAC2018168230 t韓國眞空學會誌.d韓國眞空學會.g5권 3호(1996년 9월), p. 206-212q5:3<206w(011001)KSE199508370,x1225-882210aPark, Hyung-soo10aMiin, Young-boo10aYoon, Euijoon10aCho, Hak-dong10aKang, Tae-won