01441nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052003000093245025700123300003200380545005500412545005900467545004300526545003700569545005500606653009400661700001900755700001400774700003600788700003600824700003600860773012800896900001801024900001701042900001901059900002001078900001701098 KSI000155513 20040209194221 031215s1995 ulka 000 kor a011001 0 akor beng 01 a554.9405 b한622ㅎ c4(1) 00 a3 MeV $$ P^+$$이온주입된 실리콘의 열처리에 따른 X-ray Rocking Curve 분석= xX-ray rocking curve analysis of post-annealed 3 MeV $$ P^+$$ implanted silicon/ d조남훈, e장기완, e김창수, e이정용, e노재상 ap. 109-117: b삽도; c26 cm a조남훈, 홍익대학교 금속·재료공학과 a장기완, 한국과학기술원 전자재료공학과 a김창수, 한국표준과학연구원 a이정용, 한국과학기술원 a노재상, 홍익대학교 금속·재료공학과 a이온주입 a실리콘 a열처리 aX-ray Rocking curve aPost-annealed aImplanted silicon 1 a조남훈 4aut 1 a장기완 1 a김창수, d1958- 0KAC201847308 1 a이정용, d1951- 0KAC201329277 1 a노재상, d1956- 0KAC201721684 0 t韓國眞空學會誌. d韓國眞空學會. g4권 1호(1995년 3월), p. 109-117 q4:1<109 w(011001)KSE199508370, x1225-8822 10 aCho, Nam-Hoon 10 aJang, Ki-Wan 10 aKim, Chang-Soo 10 aLee, Jeong-Yong 10 aRo, Jae-Sang