01708nam a2200325 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245028800121300003000409545008000439545008000519545008000599545008000679545008000759653017500839700001901014700004801033700004801081700001401129700001401143773013501157900002001292900001901312900001601331900001801347900001701365KSI00017291020040212184102031217s1993    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c30(1.7)00a0.3 um급 inverse-T gate 모스와 LDD 모스의 전류구동력 및 신뢰성 특성 비교=xCharacterization of current drivability and reliability of 0.3 um inverse T-gate MOS compared with those of conventional LDD MOS/d尹昌周,e金千洙,e李鎭浩,e金大容,e李振孝  ap. 72-80:b삽도;c26 cm  a윤창주, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조  a김천수, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조  a이진호, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조  a김대용, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조  a이진효, 정회원, 한국전자통신연구소 반도체단 소자구조  aInverse-ta0.3um급aGatea모스aLdd모스a전류구동력a신뢰성aCharacterizationaCurrentaDrivabilityaReliabilityaInverseaMosaComparedaThoseaConventional1 a윤창주4aut1 a김천수,g金千洙,d1959-0KAC2018445251 a이진호,g李鎭浩,d1957-0KAC2018443401 a김대용1 a이진효0 t電子工學會論文誌.A.d大韓電子工學會.g30卷 8號(1993년 8월), p. 72-80q30:8<72w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aYoun, Chang Joo10aKim, Cheon Soo10aLee, Jin Ho10aKim, Dae Yong10aLee, Jin Hyo