01585nam a2200289 c 4500001001300000005001500013008004100028040001100069041001300080052002800093245028900121300003000410545006700440545006700507545006700574545006700641653025700708700001900965700001400984700003600998700004801034773013501082900002101217900001901238900001901257900001901276KSI00016206120040212183946031216s1992    ulka          000   kor    a0110010 akorbeng01a569.05b대483c29(1.1)00a저압 유기금속기상 성장법에 의한 AlGaAs/GaAs 양자 우물에 델타 도우핑된 채널 FET 특성=xCharacteristics of AlGaAs/GaAs quantum-well delta-doped channel FET's by low pressure metalorganic chemical vapor deposition/d張景植e鄭東皓e李正守e丁潤夏  ap. 33-37:b삽도;c26 cm  a장경식, 정회원, 포항공과대학 전자전기공학과  a정동호, 정회원, 포항공과대학 전자전기공학과  a이정수, 준회원, 포항공과대학 전자전기공학과  a정윤하, 정회원, 포항공과대학 전자전기공학과  a저압a유기금속기상a유기금속기상성장법a성장법aAlGaAsaGaAsa양자우물a델타도우핑a도우핑a채널aFETaQuantum-wellaDelta-dopedaCharacteristicsaChannelaFetsaLowaPressureaMetalorganicaChemicalaVaporaDeposition1 a장경식4aut1 a정동호1 a이정수,d1968-0KAC2018377721 a정윤하,g丁潤夏,d1950-0KAC2016237170 t電子工學會論文誌.A.d大韓電子工學會.g29卷 4號(1992년 4월), p. 33-37q29:4<33w(011001)KSE199508730,x1016-135X10aJang, Kyeong Sik10aJeong, Dong Ho10aLee, Jeong Soo10aJeong, Yoon Ha