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이온빔 조사를 이용한 GaN계 소재의 patterned array 형성 연구-II

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표제/저자사항
이온빔 조사를 이용한 GaN계 소재의 patterned array 형성 연구-II
정우광 creator
발행사항
국민대학교
형태사항
HTML
주기사항
* 본 연구에서는 먼저 GaN 소재에 이온빔을 조사하였을 때 bulk 내부의 구조적 변화 및 전기적, 광학적 특성의 변화에 대하여 조사하였다. 이를 위하여 본 연구에서는 XRD, TEM, Raman spectroscopy, PL 등의 분석장비를 활용하여 이온빔 조사의 영향을 조사하였다.* 두 번째로 GaN 내부에 침입한 이온입자의 깊이방향으로의 영향을 조사하기 위하여 micro Raman spectroscopy 장비를 사용하여 GaN 소재의 이온빔 조사와 carrier concentration의 상관성에 대하여 상세하게 연구하였다.* 세 번째로 GaN 소재에 이온빔을 조사하였을 때의 전기적 특성의 변화를 조사하기 위하여 여러 가지 종류의 이온빔을 사용하여 electric isolation을 형성하고 이온빔이 조사된 부분의 전기저항에 대하여 평가하였다.* 네 번째로 이온빔 조사를 이용한 patterned array의 제조시, GaN 소재의 이온빔 조사가 GaN 위에 성장하는 에피층 및 저차원 양자구조의 성장에 시켜 어떠한 영향을 미치는지 분석하고 그 영향이 GaN의 성장에 어떠한 변화를 일으키는지 조사하였다. 또한 Au 박막을 하드마스크로 이용하여 GaN이 증착된 사파이어 기판에 선택적으로 이온빔을 조사하고, 역시 GaN 에피층 및 저차원 양자구조를 성장시켜 patterned array의 제조가능성을 확인하였다.
원저자료: http://click.ndsl.kr/servlet/LinkingFullTextView?cn=TRKO201200003178&koi=KISTI2.1015/RPT.TRKO201200003178&org_code=O170&site_code=SS1315&dbt=TRKO&service_code=01
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