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자기조립 방법 및 나노패터닝을 이용한 차세대 나노구조 비휘발성 메모리 소자를 위한 소재 개발

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표제/저자사항
자기조립 방법 및 나노패터닝을 이용한 차세대 나노구조 비휘발성 메모리 소자를 위한 소재 개발
이장식 creator
발행사항
국민대학교
형태사항
HTML
주기사항
본 연구를 통해 얻어진 자기 정렬된 나노 결정층을 이용한 제어가능하고, 조절가능한 정보저장 특성을 갖는 비휘발성 메모리 소자를 위한 정보저장층의 핵심소재 개발을 통해 향후 고집적도의 비휘발성 메모리소자 분야로 연구결과를 활용하고자 한다. 이를 통해 나노 기술 분야를 실제 반도체 산업 분야에 적용가능함을 보여주고자 한다. 또한 향후 새로운 방법으로 형성된 비휘발성 메모리 정보저장층을 이용하여 charge trapping mechanism, electron/hole density 및 distribution 분석, tunneling mechanism 분석 등을 통해 반도체 관련 기본 data를 제시함으로써 새로운 전자 소자 개발을 위한 tool을 제공하고자 한다. 본 연구과제를 통해 개발된 비휘발성 메모리용 나노결정 정보저장층에 대한 물질 및 제작공정은 이미 다수의 특허 출원이 완료되었기 때문에 관련 산업체와의 공동연구를 통해 차세대 메모리 반도체 기술의 계속적인 세계시장의 선점에도 큰 기여를 하고자 한다. 또한 본 연구 방법을 발전시켜 반도체 소자의 제작뿐만 아니라 다른 과학기술 분야에도 적용하여 광범위한 분야에 응용하고자 한다.
원저자료: http://click.ndsl.kr/servlet/LinkingFullTextView?cn=TRKO201200002253&koi=KISTI2.1015/RPT.TRKO201200002253&org_code=O170&site_code=SS1315&dbt=TRKO&service_code=01
Soo-Jin Kim, Young-Su Park, Si-Hoon Lyu, and Jang-Sik Lee,* "Nonvolatile nano-floating gate memory devices based on pentacene semiconductors and organic tunneling insulator layers," Appl. Phys. Lett., January 22, 2010; Vol. 96, Article no. 033302.Yong-Mu Kim, Young-Su Park, Andrew O'Reilly, Jang-Sik Lee,* "Organic field-effect transistor-based nonvolatile memory devices having controlled metallic nanoparticle/polymer composite layers," Electrochem. Solid-State Lett., February 1, 2010; Vol. 13, pp. H134-H136.Yong-Mu Kim, Soo-Jin Kim, Jang-Sik Lee,* "Organic Transistor-based Nano-Floating Gate Memory Devices having Multi-Stack Charge Trapping Layers," IEEE Electron Device Lett., Vol. 31, Issue 5, pp. 503-505 (2010).Young-Su Park, Seungjun Chung, Soo-Jin Kim, Si-Hoon Lyu, Jae-Wan Jang, Soon-Ki Kwon, Yong taek Hong, and Jang-Sik Lee,* "High-performance organic charge trap flash memory devices based on ink-jet printed 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene transistors, Appl. Phys. Lett., May 25, 2010; Vol. 96, Article no. 213107.Soo-Jin Kim and Jang-Sik Lee,* "Flexible Organic Transistor Memory Devices," Nano Letters, Vol. 10, No. 8, pp. 2884-2890 (2010).Jang-Sik Lee,* "Recent progress in gold nanoparticle-based non-volatile memory devices," Gold Bulletin, Vol. 43, No. 3, pp. 189-199 (2010).Young-Su Park, Sang Yeol Lee, and Jang-Sik Lee,* "Nanofloating Gate Memory Devices Based on Controlled Metallic Nanoparticle-Embedded InGaZnO TFTs," IEEE Electron Device Lett., Vol. 31, Issue 10, pp. 1134-1136 (2010).Young-Su Park, Soo-Jin Kim, Si-Hoon Lyu, Byoung Hoon Lee, Myung Mo Sung, Jaegab Lee, and Jang-Sik Lee*, "Memory Effect of Low-temperature Processed ZnO Thin-film Transistors having Metallic Nanoparticles as Charge Trapping Elements," J. Nanosci. Nanotech., Accepted for publication.Jang-Sik Lee,* Yong-Mu Kim, Jeong-Hwa Kwon, Jae Sung Sim, Hyunjung Shin, Byeong-Hyeok Sohn, and Q. X. Jia, "Multilevel Data Storage Memory Devices Based on the Controlled Capacitive Coupling of Trapped Electrons," Advanced Materials, Published online.
표준번호/부호
local  http://click.ndsl.kr/servlet/LinkingDetailView?cn=TRKO201200002253&org_code=O170&site_code=SS1315&dbt=TRKO&service_code=01
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