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학술기사

A self-off-time detector for reducing standby current of DRAM = 다이내믹 기억소자의 대기전류를 줄이기 위한 자체오프시간 검출기

표제/저자사항
A self-off-time detector for reducing standby current of DRAM = 다이내믹 기억소자의 대기전류를 줄이기 위한 자체오프시간 검출기 / 송호준
형태사항
p. 113-123: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 論文集-忠南大學校 産業技術硏究所. 忠南大學校. 11卷 2號(1996년 12월), p. 113-123 11:2<113 ISSN 1229-5000
저자: 송호준, 충남대학교 공과대학 전자공학과
수록잡지명
論文集-忠南大學校 産業技術硏究所.
청구기호
530.05-충69ㄴㅁ-11(2)
자료이용하는곳
디지털열람실
자료 이용 방법
원문정보는 한국교육학술정보원(KERIS)에서 제공하는 학술연구정보서비스 입니다.

초록내용/해제내용

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 본 논문에서는 다이내믹 기억소자 내의 여러 가지 전압발생기들에 기인한 대기전류를 줄여 주기 위한 자체오프시간 검출기를 제안하였다. 제안된 검출기는 자체적으로 최적 오프시간을 구하고 이를 이용하여 전위검출기 등, 전력소모가 가능한 모든 회로들의 온/오프 시간을 제어한다. 본 논문에서는 제안된 자체오프시간 검출기를 이용하여, 다이내믹 기억소자의 역 기판전압 발생기를 0.35㎛ CMOS 공정을 이용하여 구현하였다. 측정결과로부터 제안된 자체오프시간 검출기를 이용한 역 기판전압발생기의 대기전류는 0.1-1㎂ 의 누설전류 범위에서, 결과적으로는 누설전류를 보상하기 위하여 공급되는 펌핑전류성분을 제외하면 약 0.2㎂ 이내로 매우 우수한 특성을 보인다. 제안된 방식은 큰 수정 없이 다이내믹 기억소자 내의 자체 리프레쉬 회로뿐만 아니라 모든 전압 발생기회로에 바로 적용될 수 있다.

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